三星与 SK 海力士推迟 HBM 混合键合应用，技术换轨延后

Critini Research 分析师 Jukan 指出，三星与 SK 海力士正重新评估 HBM 混合键合应用时机。JEDEC 将HBM5 厚度标准放宽至约 1000μm，使 HBM3E 的720μm 与HBM4 的775μm 标准松动，混合键合优势不再紧迫。三星开发 Heat Path Block，SK 海力士推出 iHBM，以独立散热方案替代混合键合。英伟达对 16 层以上堆叠需求不紧迫，12 层产品或为 HBM4E 主流。HBM4 的I/O 数量已达 2048 个，TC 热压合工艺接近极限，未来 HBM5E 阶段 I/O 增至 4096 个时，混合键合仍为必然方向，此举影响 Besi 市场预期。