据韩国媒体报道,三星电子正根据英伟达要求开发 8 层 HBM4E 存储器,英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps,较三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%,该产品将用于 NVHBM。