Critini Research 分析师 Jukan 指出,三星与 SK 海力士正重新评估 HBM 混合键合应用时机。JEDEC 将HBM5 厚度标准放宽至约 1000μm,使 HBM3E 的720μm 与HBM4 的775μm 标准松动,混合键合优势不再紧迫。三星开发 Heat Path Block,SK 海力士推出 iHBM,以独立散热方案替代混合键合。英伟达对 16 层以上堆叠需求不紧迫,12 层产品或为 HBM4E 主流。HBM4 的I/O 数量已达 2048 个,TC 热压合工艺接近极限,未来 HBM5E 阶段 I/O 增至 4096 个时,混合键合仍为必然方向,此举影响 Besi 市场预期。